Республика Беларусь

Samsung создала модуль оперативной памяти на 512 Гб

Новый модуль, DDR5, использующий технологию HKMG (High-K Metal Gate), будет потреблять на 13% меньше электроэнергии, чем планки RAM, основанные на стандарте DDR4. Кроме того, производительность новинки должна возрасти по меньшей мере вдвое по сравнению с наиболее мощными картами памяти, которые выпускались еще в прошлом году.

Скорость передачи данных в модуле на 512 Гб достигает 7200 Мбит/сек за счет того, что изделие состоит из 32 отдельных чипов DRAM. В свою очередь, каждый из этих чипов представляет собой восьмислойную пластину, вмещающую до 16 Гб информации. Соединены эти пластины с использованием технологии Through-Silicon-Via, которая также максимизирует скорость передачи данных.

Планируется, что в продажу новые модули памяти поступят, как только на рынке появятся сервера с поддержкой DDR5. В Samsung ожидают, что планки RAM на 512 Гб будут особенно востребованы среди специалистов по аналитике больших данных, машинному обучению и в других областях, где требуются значительные вычислительные мощности.

31 марта 2021 года
Вверх страницы